存儲芯片巨頭美光科技近日公布了最新季度財報，數據顯示其業績實現爆發式增長。在截至2月末的2026財年第二財季，公司營收達到238.6億美元，較去年同期的80.5億美元增長近兩倍，遠超分析師預期的200.7億美元。調整后每股收益為12.20美元，同樣大幅高于市場預期的9.31美元。
財報顯示，公司毛利率從去年同期的36.8%躍升至74.4%，較上一季度的56%也有顯著提升。這一強勁表現主要得益于人工智能熱潮推動的存儲芯片需求激增。美光首席執行官桑杰·梅赫羅塔指出，公司業績提升源于人工智能驅動的內存需求增長、結構性供應限制以及公司出色的執行能力。
對于下一財季，美光給出了更為樂觀的指引：預計營收約335億美元，同比增長超過200%，遠超分析師預期的243億美元；調整后每股盈利預計約19.15美元，也大幅高于市場預期的12.05美元。盡管業績表現亮眼，但公司股價在盤后交易中仍下跌超4%，過去一年已累計上漲超過350%。
市場分析認為，美光股價盤后下跌主要源于投資者對過高預期的擔憂。加貝利基金投資組合經理亨迪·蘇桑托表示，雖然財報發布前股價已充分反映市場樂觀情緒，但公司對第三財季的強勁指引仍超出預期。他指出，當前存儲芯片市場面臨結構性供應短缺，特別是DRAM和NAND產品，部分原因是許多廠商將產能轉向利潤更高的HBM芯片。
存儲芯片行業傳統上利潤較低，產品價格相對便宜且合同期限較短。但隨著人工智能發展，行業格局正在改變。過去幾個月，多家存儲芯片公司簽訂了更長期合同，以確保未來產能。美光在財報中強調，隨著人工智能推進，計算架構將更加依賴內存，公司將成為這一趨勢的主要受益者和推動者。
為應對需求增長，美光正在大幅擴張產能。梅赫羅塔透露，英偉達Vera Rubin顯卡的HBM4量產已在本財年第一季度啟動，下一代HBM4e產品將于2027年量產。為此，公司計劃在2027財年顯著增加資本支出，與建筑相關的成本將增加超過100億美元。
目前，美光正在美國愛達荷州和紐約建設兩個大型制造園區。愛達荷州工廠預計2027年中期開始生產，紐約園區規模達1000億美元，已于今年1月破土動工，預計2028年下半年實現晶圓生產。這些投資將顯著提升公司在美國的內存制造能力。
