高性能碳化硅（SiC）模塊制造商無錫利普思半導體有限公司近日宣布完成億元級PreB+輪融資，新晉投資方包括揚州國金投資集團與揚州龍投資本。本輪資金將重點投向揚州車規級SiC模塊封裝測試基地建設，同步推進全球市場拓展計劃。該基地規劃總投資10億元，首期產線預計2026年建成，2027年實現年產300萬只模塊的產能目標。
作為第三代功率半導體領域的創新企業，利普思自2019年成立以來持續深耕SiC模塊研發。其產品突破傳統IGBT模塊性能局限，在耐壓等級、能量損耗及開關頻率等核心指標上實現顯著提升，特別適用于新能源汽車驅動系統、超級充電樁、智能電網設備等高壓場景。據行業數據顯示，隨著上游材料成本下降，SiC功率器件市場正以年均超30%的速度擴張。
在技術布局方面，公司構建了覆蓋材料、設計到制造的全鏈條創新體系。通過自主研發高導熱環氧灌封技術、聯合開發高散熱絕緣基板，以及引入ArcBonding芯片鍵合等先進工藝，成功將模塊雜散電感降低40%，功率密度提升25%。目前其1200V-3300V系列產品已通過多家頭部企業的嚴苛測試，在電網設備、新能源重卡等領域形成穩定供貨。
面向AI算力爆發帶來的新機遇，利普思提前布局數據中心供電系統升級。基于SiC器件的固態變壓器（SST）方案可提升供電效率15%以上，同時將設備體積縮小60%。公司透露，其多款高壓模塊已完成國內外知名客戶的樣品驗證，預計2027年前后將在數據中心市場形成規模化應用。
全球化戰略方面，公司通過"技術+市場"雙輪驅動模式加速出海。2020年在日本設立的研發中心匯聚了多位半導體材料專家，歐洲銷售服務中心則強化了本地化服務能力。目前產品已進入20余個國家市場，海外銷售占比預計在2025年突破45%。
即將建設的揚州基地將按照車規級標準打造智能化產線，實現從晶圓測試到模塊封裝的全程自動化生產。該基地特別規劃了獨立SiC產線，避免與IGBT制造交叉污染，同時支持嵌入式封裝等前沿技術開發。項目達產后，年產能將達現有無錫工廠的4倍以上，為電網升級和AI算力基建提供關鍵器件支撐。
據創始人丁烜明介紹，揚州基地將重點突破三大技術方向：構建符合AEC-Q100標準的質量體系、開發新一代低雜散電感封裝結構、建立客戶定制化開發平臺。預計2027年形成200萬只模塊的交付能力，助力公司在全球SiC功率器件市場占據更重要地位。
