近日，碳化硅領域接連傳來重大進展，國內多家企業在大尺寸碳化硅材料研發上取得突破，同時國際巨頭也在先進封裝技術上推出新平臺，為第三代半導體產業發展注入新動力。
國內碳化硅產業在大尺寸技術賽道上實現關鍵跨越。天成半導體官微發布消息稱，其依托自主研發設備成功研制出14英寸碳化硅單晶材料，有效厚度達30毫米。這一突破不僅填補國內相關技術空白，更標志著我國碳化硅產業從"12英寸普及"邁向"14英寸破冰"階段。該產品主要應用于半導體制造設備的碳化硅部件，成功打破日韓歐企業長期壟斷格局，為全球碳化硅半導體產業格局帶來新變量。
大尺寸碳化硅襯底具有顯著優勢，其面積約為6英寸的4倍，芯片產出量是6英寸的3.8至4.4倍。隨著尺寸擴大，生產成本顯著降低，良品率大幅提升，更能適配高端器件需求。目前行業主流廠商仍停留在6英寸階段，8英寸產品正快速上量，而國內企業已在大尺寸升級上形成集群突破態勢。三安光電12英寸碳化硅襯底已進入客戶驗證階段；露笑科技完成12英寸單晶樣品制備及全流程工藝開發；海目星旗下子公司實現6至12英寸全尺寸長晶技術布局；晶盛機電12英寸襯底加工中試線已正式通線；天岳先進則已推出12英寸全系列襯底產品。
國際市場上，全球碳化硅龍頭企業Wolfspeed推出基于300毫米碳化硅技術的新一代AI數據中心先進封裝平臺。該平臺將碳化硅材料優勢與行業標準制造基礎設施相結合，為下一代人工智能和高性能計算封裝架構提供可擴展解決方案。隨著AI工作負載快速增長，數據中心對封裝尺寸、功率密度和集成復雜性的要求持續攀升，傳統材料已接近性能極限。碳化硅材料憑借優異特性，成為解決GPU芯片高散熱問題的關鍵方案。此前有報道稱，英偉達計劃在2027年前將新一代Rubin處理器的中介層材料由硅替換為12英寸碳化硅襯底，以突破1000W功耗下的熱管理、結構可靠性和互連密度三大瓶頸。
作為第三代半導體核心材料，碳化硅具有10倍于硅的擊穿電場強度、3倍禁帶寬度、2倍極限工作溫度等優異特性，正逐步突破傳統硅基半導體性能瓶頸。集微咨詢報告顯示，2024年全球碳化硅功率半導體器件市場規模達26億美元，預計2029年將增至136億美元，年復合增長率達39.9%。A股市場已有20余只碳化硅概念股，其中14家發布2025年業績數據，但整體表現分化。天岳先進等企業因市場競爭加劇導致產品均價下降，營收規模同比下滑；士蘭微、溫州宏豐等少數企業實現業績增長。從機構評級看，揚杰科技、晶盛機電等16只個股獲得關注，立昂微、天岳先進等被機構一致預測未來兩年業績增速均值超100%。
